黄芊芊

黄芊芊，别名：“芯片奇才”、“芯片女神”，1989年出生于江西省上饶市，毕业于北京大学，现任北京大学微纳电子学系研究员、博士生导师。

黄芊芊

2011年，获得了北京大学理学博士学位，读博期间，获得教育部博士研究生学术新人奖、北京大学学术十杰等多项奖励和荣誉。2017年，入选“未来女科学家计划”奖项。同年，正式入职北大，成为了微纳电子学系的研究员、博士生导师。

主要研究方向为后摩尔时代超低功耗微纳电子器件及其在逻辑电路、神经形态计算等领域的应用。因在专业领域的重要贡献，黄芊芊荣获了IEEE电子器件学会青年成就奖，是该奖项设立以来第二位来自中国科研单位的获奖者。

 1989年

出生

1989年出生于江西省上饶市信州区。

2015年

获北京大学理学博士学位

2015年获北京大学理学博士学位。

2017年9月

任北京大学研究员、博士生导师

2017年09月至今，任北京大学信息科学技术学院研究员、博士生导师。

2019年10月

获得了IEEE电子器件学会青年成就奖

2019年10月，黄芊芊因为在“超低功耗微纳电子器件基础研究”领域做出了重大的贡献。而获得了IEEE电子器件学会青年成就奖。在采访时黄芊芊也曾表示：“这次获奖是对她十多年来的科研成果的肯定，也是她最大的荣誉。”

教育经历

时间	院校	专业	学位
xx-2006年	上饶一中		中学
2006.09-2010.07	北京大学	微电子学与固体电子学专业	学士
2010.09-2015.07	北京大学	微电子学与固体电子学专业	博士

工作经历

2015.10-2017.09在北京大学从事博士后工作。

2017.09至今，担任北京大学助理教授、研究员、博士生导师。

2019年，北京大学邀请黄芊芊亲手写下书信，为新生表达祝福，与录取通知书一同寄出。

主要成就 编辑本段

科研成就

研究领域

（1）研制出的新机理超低功耗器件打破了国际上硅基隧穿器件的亚阈摆幅纪录，器件综合性能为国际报道中同类器件最高，相关成果被国际半导体技术路线指南（ITRS）及国际器件与系统路线指南（IRDS）引用，并与中芯国际合作研制了世界上首个基于现行标准CMOS工艺平台的互补隧穿器件集成技术

黄芊芊“芯片奇才”

（2）国际上首次在单独铁电电容中直接观测到负微分电容现象，针对低功耗负电容晶体管中最具争议的稳态负电容机制问题，提出并验证了符合物理本质的动态极化翻转负电容理论

（3）国际上首次利用铁电极化翻转模拟生物神经元动态行为提出并实验实现了基于新型超低功耗仿生铁电晶体管的脉冲神经元，极大降低了脉冲神经元的硬件开销和能耗，为大规模、高集成的超低功耗神经形态计算芯片奠定了重要器件基础。

课题

• 国家重点研发计划专项项目课题
• 国家自然科学基金应急管理项目
• 国家自然科学基金优秀青年科学基金项目
• 国家自然科学基金青年科学基金项目
• 中国博士后科学基金特别资助项目

论文

已发表/合作发表论文70余篇，其中以第一作者/通讯作者身份在微电子领域顶级国际会议IEDM与VLSI上发表论文9篇（含一作6篇），代表论文有：

• Yiqing Li, Qianqian Huang*, Mengxuan Yang, Ting Li, Zhixuan Wang, Weihai Bu, Jin Kang, Wenbo Wang, Shengdong Zhang, and Ru Huang*, “A Novel Self-Aligned Dopant-Segregated Schottky Tunnel-FET with Asymmetry Sidewall Based on Standard CMOS Technology”, in ICSICT, Kun Ming, China, 2020. (Best Student Paper Award)
• Shuhan Liu, Tianyi Liu, Zhiyuan Fu, Cheng Chen, Qianqian Huang*, Ru Huang*, “Implementation of lateral divisive inhibition based on ferroelectric FET with ultra-low hardware cost for neuromorphic computing”, in CSTIC, Shanghai, China, June, 2020. (1st prize of the CSTIC Best Student Paper Awards)
• Jin Luo, Liutao Yu, Tianyi Liu, Mengxuan Yang, Zhiyuan Fu, Zhongxin Liang, Liang Chen, Cheng Chen, Shuhan Liu, Si Wu, Qianqian Huang*, Ru Huang*, “Capacitor-less Stochastic Leaky-FeFET Neuron of Both Excitatory and Inhibitory Connections for SNN with Reduced Hardware Cost”, in IEDM Tech. Dig., 2019.
• Cheng Chen, Mengxuan Yang, Shuhan Liu, Tianyi Liu, Kunkun Zhu, Yang Zhao, Huimin Wang, Qianqian Huang* and Ru Huang*, “Bio-Inspired Neurons Based on Novel Leaky-FeFET with Ultra-Low Hardware Cost and Advanced Functionality for All-Ferroelectric Neural Network”, in VLSI Symp. Tech. Dig., 2019.
• Yang Zhao, Zhongxin Liang, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Mengxuan Yang, Zixuan Sun, Kunkun Zhu, Huimin Wang, Shuhan Liu, Tianyi Liu, Yue Peng, Genquan Han and Ru Huang*, “A Novel Negative Capacitance Tunnel FET with Improved Subthreshold Swing and Nearly Non-Hysteresis through Hybrid Modulation”, IEEE Electron Device Lett., vol. 40, no. 6, 2019, pp. 989-992.
• Zhixuan Wang, Yuan Zhong, Cheng Chen, Qianqian Huang*, Le Ye*, Libo Yang, Yangyuan Wang, Ru Huang, “Ultra-Low Power Hybrid TFET-MOSFET Topologies for Standard Logic Cells with Improved Comprehensive Performance”, ISCAS, Sapporo, Japan, May 2019.
• Kunkun Zhu, Qianqian Huang*, Huimin Wang, Mengxuan Yang, Yang Zhao, Ru Huang*, “Investigation of Negative Capacitance Effect from Domain Switching Dynamics”, in CSTIC, Shanghai, China, March, 2019. (1st prize of the CSTIC Best Student Paper Awards)
• Huimin Wang, Mengxuan Yang, Qianqian Huang*, Kunkun Zhu, Yang Zhao, Zhongxin Liang, Cheng Chen, Zhixuan Wang, Yuan Zhong, Xing Zhang, Ru Huang*, “New Insights into the Physical Origin of Negative Capacitance and Hysteresis in NCFETs”, in IEDM Tech. Dig., 2018, pp. 707-710.
• Jiaxin Wang, Rundong Jia, Qianqian Huang*, Chen Pan, Jiadi Zhu, Huimin Wang, Cheng Chen, Yawen Zhang, Yuchao Yang, Haisheng Song, Feng Miao, Ru Huang*, “Vertical WS2/SnS2 van der Waals Heterostructure for Tunneling Transistors”, Scientific Reports, 8, 17755 (2018).
• Yawen Zhang, Jiewen Fan, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Yang Zhao, Ming Li, Yanqing Wu, Ru Huang*, “Voltage-Controlled Magnetoresistance in Silicon Nanowire Transistors”, Scientific Reports, 8, 15194 (2018).
• Cheng Chen, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Zhixuan Wang, Yang Zhao, Rundong Jia, Lingyi Guo, Ru Huang*, “New Insights into Energy Efficiency of Tunnel FET with Awareness of Source-Doping-Gradient Variation”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 65, no. 5, pp.2003-2009, 2018.
• Cheng Chen, Qianqian Huang*, Jiadi Zhu, Yang Zhao, Lingyi Guo, Ru Huang*, “New Understanding of Random Telegraph Noise Amplitude in Tunnel FETs”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 64, no. 8, pp. 3324-3330, 2017.
• Jiadi Zhu, Yang Zhao, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Chunlei Wu, Rundong Jia, and Ru Huang*, “Design and Simulation of a Novel Graded-Channel Heterojunction Tunnel FET with High ION/IOFF Ratio and Steep Swing”, IEEE Electron Device Lett., vol. 38, no. 9, pp. 1200-1203, 2017.
• Jiadi Zhu, Qianqian Huang*, Lingyi Guo, Libo Yang, Cheng Chen, Le Ye and Ru Huang*, “Benchmarking of multi-finger Schottky-barrier tunnel FET for ultra-low power applications”, in CSTIC, Shanghai, China, March, 2018. (1st prize of the CSTIC Best Poster Awards)
• Yang Zhao, Chunlei Wu, Qianqian Huang*, Cheng Chen, Jiadi Zhu, Lingyi Guo, Rundong Jia, Zhu lv, Yuchao Yang, Ming Li*, Ru Huang*, “A Novel Tunnel FET Design through Adaptive Bandgap Engineering with Constant Sub-threshold Slope over 5 Decades of Current and High ION/IOFF Ratio”, IEEE Electron Device Lett., vol. 39, no. 5, 2017, pp. 540-543.
• Qianqian Huang, Rundong Jia, Jiadi Zhu, Zhu Lv, Jiaxin Wang, Cheng Chen, Yang Zhao, Runsheng Wang, Weihai Bu, Wenbo Wang, Jin Kang, Kelu Hua, Hanming Wu, Shaofeng Yu, Yangyuan Wang, Ru Huang, “Deep Insights into Dielectric Breakdown in Tunnel FETs with Awareness of Reliability and Performance Co-Optimization”, in IEDM Tech. Dig., 2016, pp. 782-785.
• Qianqian Huang, Rundong Jia, Cheng Chen, Hao Zhu, Lingyi Guo, Junyao Wang, Jiaxin Wang, Chunlei Wu, Runsheng Wang, Weihai Bu, Jing Kang, Wenbo Wang, Hanming Wu, Shiuh-Wuu Lee, Yangyuan Wang, Ru Huang, “First Foundry Platform of Complementary Tunnel-FETs in CMOS Baseline Technology for Ultralow-Power IoT Applications: Manufacturability, Variability and Technology Roadmap”, in IEDM Tech. Dig., 2015, pp. 604-607.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Chunlei Wu, Hao Zhu, Cheng Chen, Jiaxin Wang, Lingyi Guo, Runsheng Wang, Le Ye and Yangyuan Wang, “Comprehensive Performance Re-assessment of TFETs with a Novel Design by Gate and Source Engineering from Device/Circuit Perspective”, in IEDM Tech. Dig., 2014, pp. 335 - 338.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Cheng Chen, Chunlei Wu, Jiaxin Wang, Chao Wang, Yangyuan Wang, “Deep Insights into Low Frequency Noise Behavior of Tunnel FETs with Source Junction Engineering”, in VLSI Symp. Tech. Dig., 2014, pp. 88-89.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Yue Pan, Shenghu Tan, Yangyuan Wang, “Resistive-Gate Field-Effect Transistor: a Novel Steep-Slope Device Based on a Metal-Insulator-Metal-Oxide Gate Stack”, IEEE Electron Device Lett.,vol. 35, no. 8, pp. 877-879, 2014.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Shaowen Chen, Jundong Wu, Zhan Zhan, Yingxin Qiu, and Yangyuan Wang, “Device physics and design of T-gate Schottky barrier tunnel FET with adaptive operation mechanism,” Semicond. Sci. Tech.,vol.29, no. 9, pp. 095013, 2014. (IOP select)
• Qianqian Huang, Ru Huang, Zhan Zhan, Yingxin Qiu, Wenzhe Jiang, Chunlei Wu, Yangyuan Wang, “A Novel Si Tunnel FET with 36mV/dec Subthreshold Slope Based on Junction Depleted-Modulation through Striped Gate Configuration”, in IEDM Tech. Dig., 2012, pp. 187 - 190.
• Qianqian Huang, Zhan Zhan, Ru Huang , Xiang Mao, Lijie Zhang, Yingxin Qiu, Yangyuan Wang, "Self-Depleted T-gate Schottky Barrier Tunneling FET with Low Average Subthreshold Slope and High ION/IOFF by Gate Configuration and Barrier Modulation", in IEDM Tech. Dig., 2011, pp. 382-385.
• Qianqian Huang, Ru Huang, Zhenhua Wang, Zhan Zhan, and Yangyuan Wang, "Schottky barrier impact-ionization metal-oxide-semiconductor device with reduced operating voltage", Appl. Phys. Lett., 99, 083507 (2011).

社会活动 编辑本段

• IEEE Electron Devices Society VLSI Technology&Circuits技术委员会委员
• 中国电子学会青年女科学家俱乐部第一届理事会理事
• 北京大学女教授协会理事
• 2019年当选中国电子学会青年女科学家俱乐部第一届理事会理事
• 2018年获国家优秀青年科学基金项目资助
• 2017年入选中国未来女科学家计划（年度全国共4人）
• 2016年获中国博士后科学基金特别资助项目资助

获得荣誉 编辑本段

时间	奖项全称	具体奖项	获奖作品	颁奖机构
	中国电子学会优秀博士论文			中国电子学会
	北京大学优秀博士论文			北京大学
	北京大学学术十杰奖	学术十杰
	教育部博士研究生学术新人奖	学术新人奖
2020年	2020年度求是杰出青年学者奖	求是杰出青年学者奖
2020年	中国电子学会优秀科技工作者荣誉称号
2020年9月25日	2020年“科学探索奖”	科学探索奖

人物评价

对于黄芊芊来说，踏上科研之路，便是她人生最正确的选择，是引导她人生开拓向前的第一粒纽扣。志之所趋，无远弗届，穷山距海，不能限也。在兴趣与使命的驱动下，她将满腔的热情投入到科研创新工作中，脚踏实地，慢慢将科研理想变为现实。凭借多年来在超低功耗微纳电子新原理器件研究中所取得的优秀成果。

漫漫科研路，孜孜探寻心，虽奖励加身，但黄芊芊从未有过一刻懈怠。她深知蓝图不可能一蹴而就，在超低功耗微纳电子器件研究中，她还需倍加努力，创新笃行。