整流器

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​整流器（英文：selenium rectifier）它是一种将交流电转换成直流电的装置，可用于电源装置和检测无线电信号。整流器可由真空管点火管固体硅半导体二极管汞弧等制成。相反，把直流电转换成交流电的一套装置叫做“逆变器” （transverter）

在备用UPS中，只需要给电池充电，不需要给负载供电，所以只有充电器。在双变频UPS中，这个器件既给逆变器供电，又给蓄电池充电，所以叫整流器/充电机。

汽车发电机产生的交流电通过整流器转换成直流电，但其波形仍有不规则波动，直接影响车辆点火的准确性；输出电压可以和t保持相对恒定，导致每次火花塞点火的能量不同，容易使车辆发动机抖动，造成换挡顿挫、提速缓慢无力、怠速不稳，车辆空调效率低。从而大大降低车载电器设备的性能和使用寿命；再加上老龄车电路系统老化，电路电阻高的影响，对车辆的影响已经日益明显。电子镇流器 的作用是帮助汽车消除杂乱的干扰、稳定输出电压、提高供电系统的瞬时放电能力、增加扭力输出、加快油门反应、延长电池的使用寿命、缩短汽车发动机的启动时间、提高点火效率，尤其是小排量车，效果明显。

半导体PN结正向偏置时电流很大，反向偏置时电流很小。整流二极管是一种PN结二极管，利用PN结的这种单向导电性，将交流电流变为DC电流。通常，电流容量在1 A以下的器件称为整流二极管，电流容量在1 A以上的器件称为整流器。常用的半导体整流器有硅整流器和硒整流器，产品规格很多，电压从几十伏到几千伏，电流从几安培到几千安培。整流器广泛应用于各种形式的整流电源中。大功率整流电源要求整流器具有大电流容量、击穿电压高、散热性能较好，但此器件结面积较大、结电容大，所以工作频率很低，一般在几十千赫以下。硅材料带隙宽，导热性好，适合制作大功率整流器件。高压硅堆常用于高压整流装置，它是由几个整流装置串联而成其反向耐压由管芯的耐压和串联管芯的数量决定，最高耐压可达几百千伏。如果高频整流电路在很高的频率下使用，当交流电压的周期相当于整流器从导通状态到关断状态的恢复时间时，整流器将不再对高频电压进行整流。为了满足高频工作的需要，硅整流器中通常采用金掺杂来缩短注入少数载流子的寿命，从而缩短恢复时间。

为了降低过压击穿造成损坏的可能性，提高整流器的可靠性，可以采用硅雪崩整流器。在这种器件中，当反向电压超过允许峰值时，整个PN结上发生均匀的雪崩击穿，器件可以在高电压大电流下工作，因此可以承受相当大的反向浪涌功率。制作这种器件时，要求材料缺陷少，电阻率均匀，结面平整，暴露的结区要适当保护，避免表面击穿。硒整流器抗过载能力大，抗反向浪涌功率能力强。

在基于大功率二极管或晶闸管的两种基本类型的整流器中，电网的高压交流电力通过整流器被转换成DC电力。提到未来（不久的或遥远的）其他类型的整流器：基于不可控二极管前沿产品的斩波器、斩波直流/DC变换器或电流源逆变器有源整流器。显然，这种最新的整流器在技术上包含了更多有待开发的内容，但它能显示出优势，比如它加载在电网上，谐波干扰非常小，功率因数为1。

整流器就是整流器件，简单的说就是把交流电转换成交流电（AC）转化为直流（DC）的装置。它有两个主要功能：

第一，将交流电（AC）变成直流电(DC)过滤后提供给负载或逆变器；

第二，为蓄电池提供充电电压。因此，它还可以充当充电器。

三极管的hFE参数与存储时间ts有关，hFE大的三极管ts也大过去人们对ts和ts的测量仪器缺乏了解，更多的是依靠hFE参数来选择三极管。

在切换状态下，hFE的选择通常如下所述：第一、HFE要尽可能高，以最小的基极电流获得最大的工作电流，同时给出最低的饱和电压，这样在输出和驱动电路中都可以降低损耗。

然而，如果考虑开关速度和电流容差，hFE的最大值是有限的；第二、中国的制造商过去常常选择hFE更小的器件，例如hFE为10到15甚至8到10的晶体管，这些晶体管曾经非常受欢迎(后来由于基极电路中电容触发电路的普及，hFE的值增加了)hFE值小，饱和深度小，有利于降低晶体管发热。

事实上，晶体管的饱和深度受Ib的影响、HFE受两个因素影响，所以通过磁环和绕组参数、基极电阻Rb的调整也可以减小饱和深度。

整流器常用的冷却方式是自然冷却、纯风扇冷却、有自然冷却和风扇冷却三种。自然冷却无机械故障，可靠性高；无空气流动，灰尘少，利于散热；无噪音等特点。纯风扇散热的优点是设备重量轻，成本低。风扇与自然冷却技术相结合，具有有效减小设备体积和重量风扇使用寿命长风扇故障适应能力强等特点。

现在业界推出的节能灯和电子镇流器专用三极管都很注重存储时间的控制。因为存储时间ts太长，电路的振荡频率会降低，整机工作电流的增加容易导致晶体管的损坏。虽然可以通过调节扼流圈等元件的电感来控制整机的功率，但是ts的离散性会使产品的一致性变差，可靠性下降。比如石英灯电子变压器的电路中，存储时间过长的晶体管可能导致电路以低于输出变压器工作极限的频率振荡，从而导致每个周期的末端磁芯饱和，使晶体管ic在每个周期都达到峰值，最终导致器件过热损坏。

如果同一条线路上的两个晶体管存储时间相差太大，整机工作电流的上下半波就会严重不对称，负担重的晶体管容易损坏，线路也会产生较多的谐波和电磁干扰。

实际应用表明，通过严格控制存储时间ts和适当调整整机电路，可以降低对hFE参数的依赖性。还值得一提的是，在一定的芯片面积条件下，晶体管特性、电流特性和耐压参数是矛盾的在中国市场，BUT11A曾经作为220V40W的电子镇流器，起点是BVceo、BVcbo值高，但在大多数电子镇流器电路中，已经不需要把三极管的电压参数选得太高。